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MR2A08ACYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08ACYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08ACYS35
Price: 1212.1 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

936-MR2A08ACYS35

製造商編號：

MR2A08ACYS35

製造商：

Everspin Technologies

說明：

MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

規格書:

MR2A08ACYS35 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Everspin Technologies MR2A08ACYS35的資訊

庫存量: 405

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,212.10	NT$1,212.10
	NT$1,121.32	NT$11,213.20
	NT$1,085.28	NT$27,132.00
	NT$1,058.42	NT$52,921.00
	NT$1,021.02	NT$102,102.00
	NT$994.50	NT$268,515.00
1,080	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Everspin Technologies
產品類型:	MRAM
RoHS:
封裝/外殼:	TSOP-II-44
接口類型:	Parallel
存儲容量:	4 Mbit
組織:	512 k x 8
數據匯流排寬度:	8 bit
存取時間:	35 ns
電源電壓 - 最小值:	3 V
電源電壓 - 最大值:	3.6 V
運作供電電流:	30 mA, 90 mA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	MR2A08A
封裝:	Tray
品牌:	Everspin Technologies
濕度敏感:	Yes
安裝風格:	SMD/SMT
Pd - 功率消耗 :	600 mW
產品類型:	MRAM
原廠包裝數量:	135
子類別:	Memory & Data Storage
公司名稱:	Parallel I/O (x8)
每件重量:	5 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

MR2A08ACYS35 規格書 (PDF)

Application Notes

Improved Magnetic Immunity on 4Mb (256KbX16), 4mb (512kbX8) and 1Mb (64KbX16) TSOP2 Industrial and Extended Temperature Grade Products (PDF)

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.