MWT-LN600

CML Micro
938-MWT-LN600
MWT-LN600

製造商：

說明：
RF MOSFET晶體管 Low Noise pHEMT Devices

規格書:
ECAD模型:
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NT$1,019.32 NT$254,830.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
CML Micro
產品類型: RF MOSFET晶體管
RoHS:  
GaAs
175 mA
4.5 V
26 GHz
8 dB, 11 dB
20 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
品牌: CML Micro
互導 - 最小值: 300 mS
Pd - 功率消耗 : 500 mW
產品類型: RF MOSFET Transistors
系列: MWT
原廠包裝數量: 10
子類別: MOSFETs
公司名稱: MWT-LN600
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所選屬性: 0

規格書

Other

USHTS:
8541210040
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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