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NTMFS2D1N08XT1G

Name: onsemi NTMFS2D1N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS2D1N08XT1G
Price: 127.27 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTMFS2D1N08XT1G

製造商編號：

NTMFS2D1N08XT1G

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

規格書:

NTMFS2D1N08XT1G 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-5
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	201 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.6 V
Qg - 閘極充電:	39 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	164 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	7 ns
互導 - 最小值:	158 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	9 ns
系列:	NTMFS2D1N08X
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	42 ns
標準開啟延遲時間:	29 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NTMFS2D1N08XT1G 規格書

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 馬來西亞
封裝原產國:: 馬來西亞
擴散國:: 日本

出貨時，國家可能會有所變更。

PowerTrench技術

安森美 (onsemi) PowerTrench技術代表了PowerTrench技術的進步，特別是從T6到T10的转变標誌著電力電子技術的突破。PowerTrench MOSFET由安森美 (onsemi) 開發，可在各種應用中提供更高的效率与效能。從T6/T8到T10的轉換大幅改善了導通電阻和開關性能，這對於節能設計而言至關重要。

40V功率MOSFET

安森美 (onsemi) 40V功率MOSFET 採用標準閘級技術，並擁有一流的導通電阻。安森美 (onsemi) MOSFET適用於發動機驅動器應用。這些器件可有效將導通和驅動損耗降至最低，具備較低的導通電阻和減少的閘極電荷。此外，MOSFET對於晶體二極體的反向恢復具有出色的軟度控制，可有效減輕電壓尖峰應力，無需在應用中額外設置阻尼電路。