NVMJS2D5N06CLTWG

Name: onsemi NVMJS2D5N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJS2D5N06CLTWG
Price: 87.04 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NVMJS2D5N06CLTWG

製造商編號：

NVMJS2D5N06CLTWG

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel

壽命週期:

NRND:

不建議用於新設計。

規格書:

NVMJS2D5N06CLTWG 規格書

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$87.04	NT$87.04
	NT$56.10	NT$561.00
	NT$38.42	NT$3,842.00
	NT$30.87	NT$15,435.00
	NT$29.85	NT$29,850.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$28.66	NT$85,980.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	LFPAK-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Id - C連續漏極電流:	31 A
Rds On - 漏-源電阻:	2.4 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	52 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	113 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	8.5 ns
互導 - 最小值:	286 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	55 ns
系列:	NVMJS2D5N06CL
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	37 ns
標準開啟延遲時間:	10 ns
每件重量:	99.445 mg

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所選屬性: 0

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規格書

NVMJS2D5N06CLTWG 規格書

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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