NVMYS5D3N04CTWG

Name: onsemi NVMYS5D3N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS5D3N04CTWG
Price: 58.08 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

863-NVMYS5D3N04CTWG

製造商編號：

NVMYS5D3N04CTWG

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

規格書:

NVMYS5D3N04CTWG 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於onsemi NVMYS5D3N04CTWG的資訊

庫存量: 2,970

庫存：: 2,970 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 52 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$58.08	NT$58.08
	NT$34.34	NT$343.40
	NT$24.59	NT$2,459.00
	NT$20.40	NT$10,200.00
	NT$17.39	NT$17,390.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$15.49	NT$46,470.00
	NT$14.41	NT$86,460.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	LFPAK-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	71 A
Rds On - 漏-源電阻:	5.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.5 V
Qg - 閘極充電:	16 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	50 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	8 ns
互導 - 最小值:	53 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	72 ns
系列:	NVMYS5D3N04C
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	24 ns
標準開啟延遲時間:	11 ns
每件重量:	75 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NVMYS5D3N04CTWG 規格書

合規守則

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 菲律賓
擴散國:: 日本

出貨時，國家可能會有所變更。

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.