NXH011F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH011F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H011F120M3F2PTHG
Price: 4330.58 TWD
Availability: InStock

Mouser 編號：

863-H011F120M3F2PTHG

製造商編號：

NXH011F120M3F2PTHG

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET模組 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

NXH011F120M3F2PTHG 規格書

ECAD模型:

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	NT$4,330.58	NT$4,330.58
100	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Press Fit
封裝/外殼:	PIM-34
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	105 A
Rds On - 漏-源電阻:	16 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.72 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	244 W
系列:	NXH011F120M3F2PTHG
封裝:	Tray
品牌:	onsemi
配置:	Full Bridge
下降時間:	12.6 ns
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	12.7 ns
原廠包裝數量:	20
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	EliteSiC
類型:	Full Bridge
標準斷開延遲時間:	110.5 ns
標準開啟延遲時間:	30.9 ns
Vf - 順向電壓:	5.21 V

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NXH011F120M3F2PTHG 規格書

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET

onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET是一款F1封裝的功率模組，包含全橋和熱敏電阻。這些MOSFET具有熱敏電阻和壓合式引腳。 NXH0x0F120MNF1模組提供預塗熱界面材質(TIM)和不預塗TIM兩種選擇。這些Si/SiC混合模組理想適用於太陽能逆變器、不間斷電源、電動汽車充電站和工業電力。NXH0x0F120MNF1模組無鉛、無鹵化物，並符合RoHS規定。這些模組的儲存溫度範圍為-40°C至150°C，工作結溫範圍為-40°C至175°C。