PMDXB1200UPEZ

Name: Nexperia PMDXB1200UPEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB1200UPEZ
Price: 16.32 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

771-PMDXB1200UPEZ

製造商編號：

PMDXB1200UPEZ

製造商：

Nexperia

說明：

MOSFET PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-

規格書:

PMDXB1200UPEZ 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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	NT$6.36	NT$636.00
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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Nexperia
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-1010-6
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	410 mA
Rds On - 漏-源電阻:	1.4 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	950 mV
Qg - 閘極充電:	1.2 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	410 mW
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Nexperia
配置:	Dual
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	MY
產品類型:	MOSFETs
原廠包裝數量:	5000
子類別:	Transistors
零件號別名:	934069327147
每件重量:	1.229 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

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USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.