QH8JB5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JB5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JB5TCR
Price: 69.19 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-QH8JB5TCR

製造商編號：

QH8JB5TCR

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

規格書:

QH8JB5TCR 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TSMT-8
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	5 A
Rds On - 漏-源電阻:	41 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1 V
Qg - 閘極充電:	17.2 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.5 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Dual
下降時間:	43 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	18 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2 - P Channel
標準斷開延遲時間:	82 ns
標準開啟延遲時間:	9.2 ns
零件號別名:	QH8JB5
每件重量:	10 mg

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所選屬性: 0

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規格書

QH8JB5TCR 規格書

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 日本
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

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