RD3E08BBJHRBTL

ROHM Semiconductor
755-RD3E08BBJHRBTL
RD3E08BBJHRBTL

製造商：

說明：
MOSFET TO252 P-CH 30V 80A

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$115.60 NT$115.60
NT$75.48 NT$754.80
NT$52.70 NT$5,270.00
NT$45.22 NT$22,610.00
NT$43.52 NT$43,520.00
完整捲（訂購多個2500）
NT$42.50 NT$106,250.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
30 V
80 A
3.7 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
142 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TH
下降時間: 180 ns
互導 - 最小值: 20 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 27 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 220 ns
標準開啟延遲時間: 19 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Automotive 40A & 80A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Automotive 40A and 80A Power MOSFETs are N-channel and P-channel devices. These AEC-Q101 qualified MOSFETs feature low on-resistance, ±80A/±160A pulsed drain current, and up to 142W power dissipation. The 40A and 80A power MOSFETs operate from -55°C to 175°C temperature range and are 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for ADAS, automotive, and lighting applications.

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