RGS80TSX2DGC11

ROHM Semiconductor
755-RGS80TSX2DGC11
RGS80TSX2DGC11

製造商：

說明：
IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$446.08 NT$446.08
NT$257.72 NT$2,577.20
NT$231.54 NT$23,154.00
NT$231.20 NT$104,040.00
NT$224.06 NT$201,654.00
2,700 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
80 A
555 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
品牌: ROHM Semiconductor
柵射極漏電電流: 500 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 450
子類別: IGBTs
零件號別名: RGS80TSX2D
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

PCN

Specification Sheets

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter, UPS, PV inverters, and power conditioner applications. The RGSx0TSX2x IGBTs offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.

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