RGSX5TS65EGC11

ROHM Semiconductor
755-RGSX5TS65EGC11
RGSX5TS65EGC11

製造商：

說明：
IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$182.92 NT$182.92
NT$161.16 NT$1,611.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
650 V
2.15 V
30 V
114 A
404 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
品牌: ROHM Semiconductor
柵射極漏電電流: 200 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 450
子類別: IGBTs
零件號別名: RGSX5TS65E
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所選屬性: 0

規格書

PCN

Specification Sheets

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs feature a low collector-emitter saturation voltage. The RGSX5TS65 has a short circuit withstand time of 8μs. It's qualified to AEC-Q101 and has Pb-free lead plating.

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