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RJ1G10BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1G10BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1G10BBGTL1
Price: 218.62 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

755-RJ1G10BBGTL1

製造商編號：

RJ1G10BBGTL1

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

RJ1G10BBGTL1 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$218.62	NT$218.62
	NT$167.28	NT$1,672.80
	NT$135.32	NT$13,532.00
	NT$120.36	NT$60,180.00
完整捲（訂購多個800）
	NT$103.02	NT$82,416.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-263AB-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	280 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.43 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	210 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	192 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	340 ns
互導 - 最小值:	70 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	64 ns
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	280ns
標準開啟延遲時間:	49 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

RJ1G10BBGTL1 規格書

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RJ1x10BBG Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Power MOSFETs are N-channel power MOSFETs featuring low on-resistance and a high power package. The RJ1G10BBG and RJ1L10BBG power MOSFETs have a drain-source voltage of 40V and 60V, a continuous drain current of ±280A and ±240A, respectively, and a power dissipation of 192W. The RJ1x10BBG power MOSFETs are RoHS compliant. These power MOSFETs feature lead-free plating, are halogen-free, and 100% Rg and UIS tested. The RJ1x10BBG power MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching, motor drives, and DC/DC converters.