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RQ3L120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3L120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L120BJFRATCB
Price: 54.06 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

755-RQ3L120BJFRATCB

製造商編號：

RQ3L120BJFRATCB

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

RQ3L120BJFRATCB 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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工廠前置作業時間：: 16 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$54.06	NT$54.06
	NT$34.34	NT$343.40
	NT$22.78	NT$2,278.00
	NT$18.67	NT$9,335.00
	NT$16.56	NT$16,560.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$14.14	NT$42,420.00
	NT$13.97	NT$83,820.00
	NT$13.84	NT$124,560.00
	NT$13.80	NT$331,200.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	HSMT-8
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Id - C連續漏極電流:	12 A
Rds On - 漏-源電阻:	106 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 5 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	15.7 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	40 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	18 ns
互導 - 最小值:	7.8 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	13 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	52 ns
標準開啟延遲時間:	8.7 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

RQ3L120BJFRATCB 規格書

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RQ3xFRATCB功率MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB功率MOSFET是一款通過AEC-Q101認證的汽車級MOSFET。這些MOSFET具有-40V至100V漏源電壓範圍、8個端子、高達69W功耗以及 ±12A 至 ±27A連續漏極電流。RQ3xFRATCB功率MOSFET配有N通道和P通道版本。這些功率MOSFET採用小型3.3mm x 3.3mm HSMT8AG封裝。RQ3xFRATCB功率MOSFET非常適合高級駕駛輔助系統(ADAS)、資訊娛樂系統、照明和車身。

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.