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SCS215AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS215AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS215AGC17
Price: 221.68 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

755-SCS215AGC17

製造商編號：

SCS215AGC17

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen

壽命週期:

NRND:

不建議用於新設計。

規格書:

SCS215AGC17 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

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庫存量: 6,417

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$221.68	NT$221.68
	NT$132.26	NT$1,322.60
	NT$113.22	NT$11,322.00
	NT$106.42	NT$53,210.00
	NT$106.08	NT$106,080.00
25,000	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220ACG-2
配置:	Single
If - 順向電流:	15 A
Vrrm - 重複反向電壓:	650 V
Vf - 順向電壓:	1.55 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	52 A
Ir - 反向電流:	300 uA
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Tube
品牌:	ROHM Semiconductor
Pd - 功率消耗 :	110 W
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓:	650 V
零件號別名:	SCS215AG

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SCS215AGC17 規格書 (PDF)

Specification Sheets

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CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (Q_C), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.