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SGT080R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT080R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT080R70ILB
Price: 169.32 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-SGT080R70ILB

製造商編號：

SGT080R70ILB

製造商：

STMicroelectronics

說明：

氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

SGT080R70ILB 規格書 (PDF)

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MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$169.32	NT$169.32
	NT$119.00	NT$1,190.00
	NT$102.68	NT$10,268.00
	NT$99.62	NT$49,810.00
	NT$96.90	NT$96,900.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$93.50	NT$280,500.00
24,000	報價

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-8
Vds - 漏-源擊穿電壓:	700 V
Id - C連續漏極電流:	29 A
Rds On - 漏-源電阻:	80 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	6.2 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	188 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	Not Available
下降時間:	4 ns
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	FET
產品類型:	GaN FETs
上升時間:	4 ns
系列:	SGT
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
技術:	GaN
類型:	PowerGaN Transistor
標準斷開延遲時間:	5 ns
標準開啟延遲時間:	3 ns
每件重量:	154 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SGT080R70ILB 規格書 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor is an enhancement-mode transistor designed for high-efficiency power conversion applications. Featuring a drain-source voltage rating of 700V and a typical on-resistance of just 80mΩ, the STMicroelectronics SGT080R70ILB leverages the superior switching performance of Gallium Nitride (GaN) technology to minimize conduction and switching losses. Housed in a compact PowerFLAT 8x8 HV package, the transistor supports high-frequency operation and is ideal for use in resonant converters, power factor correction (PFC) stages, and DC-DC converters. A low gate charge and output capacitance enable faster transitions and reduced energy dissipation, making the SGT080R70ILB well-suited for demanding applications in consumer electronics, industrial systems, and data centers.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.