SGT105R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT105R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT105R70ILB
Price: 77.86 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-SGT105R70ILB

製造商編號：

SGT105R70ILB

製造商：

STMicroelectronics

說明：

氮化鎵場效應管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

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規格書:

SGT105R70ILB 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	氮化鎵場效應管
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-8
Vds - 漏-源擊穿電壓:	700 V
Id - C連續漏極電流:	21.7 A
Rds On - 漏-源電阻:	105 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	4.8 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	158 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	Not Available
封裝:	Reel
產品:	FET
產品類型:	GaN FETs
上升時間:	9 ns
系列:	SGT
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
技術:	GaN
類型:	PowerGaN Transistor

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規格書

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PCN

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

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