SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 88.4 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-SGT350R70GTK

製造商編號：

SGT350R70GTK

製造商：

STMicroelectronics

說明：

氮化鎵場效應管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

完成您的設計

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

SGT350R70GTK 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於STMicroelectronics SGT350R70GTK的資訊

庫存量: 695

庫存：: 695 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個2500）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$88.40	NT$88.40
	NT$57.12	NT$571.20
	NT$40.80	NT$4,080.00
	NT$34.34	NT$17,170.00
	NT$32.44	NT$32,440.00
完整捲（訂購多個2500）
	NT$27.74	NT$69,350.00
	NT$27.54	NT$137,700.00
	NT$26.83	NT$268,300.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DPAK-3
Vds - 漏-源擊穿電壓:	700 V
Id - C連續漏極電流:	6 A
Rds On - 漏-源電阻:	350 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	1.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	47 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
組裝國家:	CN
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	6.1 ns
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	FET
產品類型:	GaN FETs
上升時間:	3.5 ns
系列:	SGT
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
技術:	GaN
類型:	PowerGaN Transistor
標準斷開延遲時間:	1.2 ns
標準開啟延遲時間:	0.9 ns
每件重量:	300 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SGT350R70GTK 規格書 (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 700V and a maximum on-resistance of 350mΩ, the STMicroelectronics SGT350R70GTK delivers low conduction losses and fast switching capabilities thanks to Gallium Nitride (GaN) technology. Packaged in a thermally enhanced DPAK format, the device supports high current handling and improved heat dissipation, suitable for high-density power designs. A low gate charge and output capacitance enable high-frequency operation, ideal for use in power factor correction (PFC), resonant converters, and other advanced power topologies in industrial, telecom, and consumer electronics sectors.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.