SIR5607DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SIR5607DP-T1-RE3
SIR5607DP-T1-RE3

製造商：

說明：
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 8,842

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5,825
預期2026/3/23
工廠前置作業時間：
13
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個3000）

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
NT$112.88 NT$112.88
NT$75.14 NT$751.40
NT$54.40 NT$5,440.00
NT$47.94 NT$23,970.00
NT$47.60 NT$47,600.00
完整捲（訂購多個3000）
NT$39.10 NT$117,300.00
† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
P-Channel
1 Channel
60 V
90.9 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
31.7 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 20 ns
互導 - 最小值: 52 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 320 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 45 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low RDS(on). These power MOSFETs offer 30V VDS and very low RDS x Qg Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A ID and 19.9nC Qg. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A ID and 21nC Qg. This 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.

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