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SISS52DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS52DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISS52DN-T1-GE3
Price: 53.38 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

78-SISS52DN-T1-GE3

製造商編號：

SISS52DN-T1-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

規格書:

SISS52DN-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

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MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$53.38	NT$53.38
	NT$33.73	NT$337.30
	NT$22.81	NT$2,281.00
	NT$17.99	NT$8,995.00
	NT$16.35	NT$16,350.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$14.38	NT$43,140.00
	NT$13.36	NT$80,160.00
	NT$12.99	NT$116,910.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerPAK1212-8S
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	162 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 12 V, 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.2 V
Qg - 閘極充電:	65 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	57 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	TrenchFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay / Siliconix
下降時間:	6 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	6 ns
系列:	SISS
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N - Channel
標準斷開延遲時間:	26 ns
標準開啟延遲時間:	12 ns

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所選屬性: 0

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規格書

SISS52DN-T1-GE3 規格書

PCN

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Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low R_DS(on). These power MOSFETs offer 30V V_DS and very low R_DS x Q_g Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A I_D and 19.9nC Q_g. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A I_D and 21nC Q_g. This 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.

TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK^® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.