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SSM6K361NU,LF

Name: Toshiba SSM6K361NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6K361NULF
Price: 22.1 TWD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

757-SSM6K361NULF

製造商編號：

SSM6K361NU,LF

製造商：

Toshiba

說明：

MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

規格書:

SSM6K361NU,LF 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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NT$-.--

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MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$22.10	NT$22.10
	NT$13.67	NT$136.70
	NT$9.45	NT$945.00
	NT$7.17	NT$3,585.00
	NT$6.32	NT$6,320.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$5.34	NT$16,020.00
	NT$4.83	NT$28,980.00
	NT$4.35	NT$39,150.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	UDFN-6
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	3.5 A
Rds On - 漏-源電阻:	51 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.5 V
Qg - 閘極充電:	3.2 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.25 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	U-MOSVIII-H
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Toshiba
配置:	Single
下降時間:	7 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	9 ns
系列:	SSM6K
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	16 ns
標準開啟延遲時間:	21 ns
每件重量:	8.500 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SSM6K361NU,LF 規格書 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SSM6x N通道及P通道MOSFET

Toshiba SSM6x N通道及P通道MOSFET具有高速切換能力，可用作電源管理和類比開關。這些MOSFET針對不同的閘極至源極電壓範圍提供非常低的導通電阻（低至1.1 mΩ，最大115 mΩ）。SSM6x MOSFET採用小型封裝，相容表面黏著。這些MOSFET具有低汲極至源極導通電阻，可用作DC轉DC轉換器，驅動1.2V至4.5V的閘極電壓。Toshiba SSM6x MOSFET的汲極功耗較低（最高150 mW），在12V至100V輸入電壓範圍內作業時發熱最低。

MOSFETs for Industrial & Lighting Applications

Toshiba 60V and 100V Power MOSFETs for Industrial and Lighting Applications include the 60V SSM3K341 and the 100V SSM3K361 families. These MOSFETs feature industry-leading low on-resistance and are suited to load switching in television and industrial lighting. The devices are also good candidates for industrial automation systems that require low to medium power.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.