STF80N240K6

STMicroelectronics
511-STF80N240K6
STF80N240K6

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
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規格書:
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預期2026/2/17
工廠前置作業時間：
13
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$201.62 NT$201.62
NT$152.32 NT$1,523.20
NT$123.08 NT$12,308.00
NT$109.48 NT$54,740.00
NT$93.84 NT$93,840.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
16 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
25.9 nC
- 55 C
+ 150 C
27 W
Enhancement
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5.3 ns
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 47.8 ns
標準開啟延遲時間: 16 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

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