STGP30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGP30H60DFB
STGP30H60DFB

製造商:

說明:
IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

ECAD模型:
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庫存量: 933

庫存:
933
可立即送貨
在途量:
2,000
預期2026/8/6
工廠前置作業時間:
15
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$116.15 NT$116.15
NT$65.61 NT$656.10
NT$50.19 NT$5,019.00
NT$40.87 NT$20,435.00
NT$37.64 NT$37,640.00
NT$35.28 NT$70,560.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30H60DFB
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 60 A
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
中國
擴散國:
無資料
出貨時,國家可能會有所變更。

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.