STGYA50M120DF3

STMicroelectronics
511-STGYA50M120DF3
STGYA50M120DF3

製造商：

說明：
IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$204.00 NT$204.00
NT$147.56 NT$1,475.60
NT$131.58 NT$15,789.60
NT$124.10 NT$63,291.00
5,010 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
Max247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
- 20 V, 20 V
100 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
品牌: STMicroelectronics
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 30
子類別: IGBTs
每件重量: 4.430 g
找到產品:
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所選屬性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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