STH65N050DM9-7AG

STMicroelectronics
511-STH65N050DM9-7AG
STH65N050DM9-7AG

製造商:

說明:
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
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估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$308.72 NT$308.72
NT$224.40 NT$2,244.00
NT$187.00 NT$18,700.00
NT$166.60 NT$83,300.00
完整捲(訂購多個1000)
NT$148.58 NT$148,580.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
51 A
50 mOhms
30 V
4.5 V
100 nC
- 50 C
+ 150 C
266 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 7 ns
系列: MDmesh M9
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 80 ns
標準開啟延遲時間: 29 ns
每件重量: 1.540 g
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9功率MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具備強化裝置結構、低導通電阻和低閘極電荷值。這些功率MOSFET具有高反向二極體dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性、高功率密度和低傳導耗損。MDmesh M9功率MOSFET亦具有高開關速度、高效率和低開關功率耗損。這些功率MOSFET採用創新的高電壓超接面技術設計,可提供令人印象深刻的品質因數 (FoM)。高FoM可實現更高的功率等級和密度,進而使解決方案達到更輕巧的尺寸。其典型應用包括伺服器、電信資料中心、5G電力站、微型逆變器和快速充電器。