STL13N60M6

Name: STMicroelectronics STL13N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL13N60M6
Price: 88.4 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STL13N60M6

製造商編號：

STL13N60M6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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規格書:

STL13N60M6 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$88.40	NT$88.40
	NT$56.44	NT$564.40
	NT$38.42	NT$3,842.00
	NT$31.42	NT$15,710.00
	NT$28.36	NT$28,360.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$24.72	NT$74,160.00
	NT$24.41	NT$146,460.00
24,000	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-5x6-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	7 A
Rds On - 漏-源電阻:	415 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.25 V
Qg - 閘極充電:	13 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	52 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	9.4 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	6.5 ns
系列:	Mdmesh M6
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	25.5 ns
標準開啟延遲時間:	15.8 ns
每件重量:	76 mg

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規格書

STL13N60M6 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET結合低閘極電荷(Q_g)與優化電容尺寸，為電源轉換應用中的新拓撲結構提供高效率。超級接面MDmesh M6系列提供極高效性能，為高頻率運行帶來更高電源密度及低閘極電荷。M6系列MOSFET具有600至700V的擊穿電壓，並具有豐富的封裝選項，包括TO無鉛(TO-LL)封裝解決方案，可實現高效的熱管理。這些裝置具有適用於工業應用的多種運行電壓，包括充電器、適配器、銀盒模組、LED照明、電訊、伺服器及太陽能。

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.