TK16G60W,RVQ

Name: Toshiba TK16G60W,RVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16G60WRVQ
Price: 132.6 TWD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

757-TK16G60WRVQ

製造商編號：

TK16G60W,RVQ

製造商：

Toshiba

說明：

MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

規格書:

TK16G60W,RVQ 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Toshiba TK16G60W,RVQ的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 18 週工廠預計生產時間。

輸入數量：

最少： 1000 多個： 1000

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
完整捲（訂購多個1000）
	NT$132.60	NT$132,600.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-262-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	15.8 A
Rds On - 漏-源電阻:	190 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.7 V
Qg - 閘極充電:	38 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	130 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	DTMOSIV
封裝:	Reel
品牌:	Toshiba
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	5 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	25 ns
系列:	TK16G60W
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	100 ns
標準開啟延遲時間:	50 ns
每件重量:	2.387 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

TK16G60W,RVQ 規格書 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.