+886-2-2799-2096

TTI Family of Specialists旗下成員聯絡Mouser (台北) +886-2-2799-2096 意見回應

更改位置

庫存量

RoHS

登入
新客戶？在此處開始
登入
新客戶？在此處開始

訂單記錄

製造商	製造商編號：	數量	合并总计

瀏覽購物車

似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

返回至搜尋結果

發現錯誤嗎?

TK16J60W,S1VQ

Name: Toshiba TK16J60W,S1VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16J60WS1VQ
Price: 162.52 TWD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

757-TK16J60WS1VQ

製造商編號：

TK16J60W,S1VQ

製造商：

Toshiba

說明：

MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

規格書:

TK16J60W,S1VQ 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Toshiba TK16J60W,S1VQ的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 請聯系洽詢價格和交期

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$162.52	NT$162.52
	NT$130.22	NT$1,302.20
	NT$105.06	NT$10,506.00
	NT$93.16	NT$46,580.00
	NT$79.90	NT$79,900.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-3PN-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	15.8 A
Rds On - 漏-源電阻:	160 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.7 V
Qg - 閘極充電:	38 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	130 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	DTMOSIV
品牌:	Toshiba
配置:	Single
下降時間:	5 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	25 ns
系列:	TK16J60W
原廠包裝數量:	25
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	100 ns
標準開啟延遲時間:	50 ns
每件重量:	4.600 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

TK16J60W,S1VQ 規格書 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.