TK4R9E15Q5,S1X MOSFET

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
規格書
381庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
規格書
N/A