TKx矽N通道MOSFET

TKx矽N通道MOSFET提供U-MOSX-H和DTMOSVI型號,具備卓越的效能特性。這些MOSFET的設計具有快速的反向恢復時間,透過減少關斷和導通狀態之間的延遲,提高了高速開關應用中的效率。低漏-源導通電阻 [RDS(on)] 可將功耗降至最低,並改善了散熱管理,使其成為需要處理高電流且能耗低的應用中的理想選擇。            

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS? 1,800庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS? 1,800庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS? 1,997庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET 1,998庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TOLL, DTMOS? 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS? 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape