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選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,500
倍數: 500
: 500

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 12,500
倍數: 2,500
: 2,500

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 5,000
倍數: 1,000
: 1,000

EPC 氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 5,000
倍數: 1,000
: 1,000

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,500
倍數: 500
: 500

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,500
倍數: 500
: 500

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 12,500
倍數: 2,500
: 2,500

EPC 鐳射驅動器 IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 12,500
倍數: 2,500
: 2,500

EPC 鐳射驅動器 IC LASER DRVR 80V 15A 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 12,500
倍數: 2,500
: 2,500

EPC 氮化鎵場效應管 EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 12,500
倍數: 2,500
: 2,500

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,500
倍數: 500
: 500

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 12,500
倍數: 2,500
: 2,500