ISSI PowerSaver 半導體

半導體的類型

變更類別視圖
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 96
倍數: 96

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1