ISSI PowerSaver 半導體

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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 348
倍數： 348

ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 240
倍數： 240

ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 240
倍數： 240

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 300
倍數： 300

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 300
倍數： 300

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 240
倍數： 240

ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 240
倍數： 240

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 240
倍數： 240

ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 240
倍數： 240

ISSI SRAM 16Mb 1.65-2.2V 55ns 1Mx16 Async SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 96
倍數： 96


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,1.65v-2.2v, 32 Pin TSOP (8x20 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1