iDEAL Semiconductor MOSFET

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package 2,102庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET 203庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm 4,394庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms 20 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm 371庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms 20 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package 無庫存前置作業時間 2 週
最少: 200
倍數: 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel