UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

結果: 23
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4
規格書
3,280庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3
規格書
507庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 50

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
規格書
902庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-3
規格書
1,166庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
規格書
630庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
規格書
374庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3
規格書
644庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
規格書
227庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4
規格書
583庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
規格書
1,142庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
規格書
458庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
規格書
1,251庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7
規格書
199庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
規格書
678庫存量
800預期2026/11/23
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3
規格書
92庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
規格書
621庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
規格書
639庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 30

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
規格書
464庫存量
600預期2026/11/16
最少： 1
倍數： 1
最大： 60

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
規格書
64庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
規格書
26庫存量
1,600在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 190
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4
規格書
600預期2026/10/19
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
規格書
1,000預期2026/12/21
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
規格書
300預期2027/3/8
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET