DXTN80x NPN Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN80x NPN Bipolar Transistors offer a small form factor, thermally efficient PowerDI® 3333-8 package, allowing higher-density end products. The devices supply a >30V, 60V, or 100V collector-emitter voltage and a >8V emitter-base voltage. The DXTN80x is ideal for high-temperature environments, with a temperature rating of +175°C. The Diodes Inc. DXTN80x NPN bipolar transistors are excellent for motors, solenoids, relays, and actuator driver controls.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-基極電壓VCBO
發射機-基極電壓VEBO
集電極-發射極飽和電壓
Pd - 功率消耗
增益帶寬積 fT
最低工作溫度
最高工作溫度
資格
系列
封裝
Diodes Incorporated 雙極結晶體管 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
規格書
1,592庫存量
2,000預期2026/4/8
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 雙極結晶體管 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
規格書
3,880庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 雙極結晶體管 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
規格書
1,592庫存量
2,000預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape