RQ3xFRATCB功率MOSFET

ROHM Semiconductor  RQ3xFRATCB功率MOSFET是一款通過AEC-Q101認證的汽車級MOSFET。這些MOSFET具有-40V至100V漏源電壓範圍、8個端子、高達69W功耗以及 ±12A 至 ±27A連續漏極電流。RQ3xFRATCB功率MOSFET配有N通道和P通道版本。這些功率MOSFET採用小型3.3mm x 3.3mm HSMT8AG封裝。RQ3xFRATCB功率MOSFET非常適合高級駕駛輔助系統(ADAS)、資訊娛樂系統、照明和車身。

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive 3,830庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive 2,997庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive 2,795庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape