Double Data Rate 4 (DDR4) DRAM

Intelligent Memory Double Data Rate 4 (DDR4) DRAM contains higher module density, higher data transmission speeds, and lower voltage requirements than DDR3 devices. These devices support Data Bus Inversion (DBI), Write Cycle Redundancy Check (CRC), Dynamic ODT (On Die Termination), and Fine Granularity Refresh Mode. With high-speed data transfer up to 3200MHz, the Intelligent Memory DDR4 ICs are ideal for demanding applications in the industrial market.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 1Gx8, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 408庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IM8G08D4 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 1Gx8, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 144庫存量
209預期2026/3/26
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IM8G08D4 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-96 81庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 512 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IM8G16D4 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 179庫存量
418預期2026/3/27
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 512 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IM8G16D4 Tray