OptiMOS™ 5功率MOSFET

Infineon OptiMOS™ 5功率MOSFET是為滿足提升的系統效率的要求，同時降低系統成本而設計。與其他裝置相比，這些裝置具有較低的RDS(on)和品質因數 (RDS(on) x Qg)。它們採用矽技術設計，經過優化以滿足並超出能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應用包括計算行業的伺服器、數據通信和客戶端應用。它們還可用於開關模式電源 (SMPS) 和電發動機控制、太陽能微型逆變器和快速開關直流/直流轉換器應用中的同步整流。

結果: 81
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
規格書
10,000預期2026/4/9
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 500
倍數： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 500
倍數： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 99 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
無庫存前置作業時間 13 週
最少： 500
倍數： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 500
倍數： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 133 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube