TO-247-4纖薄1200V碳化矽功率MOSFET

Wolfspeed TO-247-4纖薄1200V碳化矽功率MOSFET具有高速開關、低電容、高阻斷電壓和低導通電阻的特點。這些功率MOSFET降低了開關損耗和冷卻要求，並最大程度減少閘極震動。1200V SiC MOSFET包含具有低反向恢復(Qrr)的快速本徵二極管。這些功率MOSFET提高了功率密度和系統開關頻率。1200V碳化矽功率MOSFET採用優化的封裝，具有獨立的驅動器源引腳，並採用較小的TO-247-4封裝體。這些功率MOSFET不含鹵素且符合RoHS標準。典型應用包括馬達控制、EV電池充電器、高壓DC/DC轉換器、太陽能/ESS、UPS和企業PSU。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 16mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
規格書
426庫存量
450在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
規格書
315庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
規格書
79庫存量
450預期2026/6/19
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
規格書
145庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
規格書
230庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
規格書
384庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement