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SIHG080N60E-GE3

Name: Vishay SIHG080N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHG080N60E-GE3
Price: 184.28 TWD
Availability: InStock

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請參閱產品規格

Mouser 編號：

78-SIHG080N60E-GE3

製造商編號：

SIHG080N60E-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET TO247 600V 35A N-CH MOSFET

規格書:

SIHG080N60E-GE3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$184.28	NT$184.28
	NT$114.92	NT$1,149.20
	NT$110.50	NT$11,050.00
	NT$98.26	NT$49,130.00
	NT$76.16	NT$76,160.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247AC-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	35 A
Rds On - 漏-源電阻:	80 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5 V
Qg - 閘極充電:	42 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	227 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Tube
品牌:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降時間:	31 ns
互導 - 最小值:	4.6 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	96 ns
系列:	SIHG E
原廠包裝數量:	500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	37 ns
標準開啟延遲時間:	31 ns
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SIHG080N60E-GE3 規格書

Technical Resources

TO-247AC (High Voltage)

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHG080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHG080N60E E Series Power MOSFETs feature reduced switching and conduction losses utilizing 4th generation E series technology. The SiHG080N60E Power MOSFETs have a 650V drain-source voltage 63nC total gate charge in a TO-247AC package. The SiHG080N60E MOSFETs offer a low figure-of-merit (FOM) R_on x Q_g and a low effective capacitance (C_o(er)).