REXFET-1 100V和150V電源 MOSFET

Renesas Electronics REXFET-1 100V和150V電源 MOSFET 實現分立閘技術，大幅降低導通電阻 RDSON 和優值，非常適合高電流應用。這些元件採用 TOLL（TO 無引線）、TOLG（TO 有引線燕尾翼）和 TOLT（TO 頂部冷卻）封裝，提供卓越的散熱性能和最大功率能力。此外，MOSFET 採用可濕式側邊封裝，具有出色的焊接接頭性能。REXFET-1 MOSFET 獲得 AEC-Q100認證，並支援PPAP，適用於汽車應用。

結果: 32
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
通道模式
公司名稱
封裝
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,300
倍數： 1,300
捲: 1,300

SmartBond Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

SmartBond Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,300
倍數： 1,300
捲: 1,300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel