Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

分離式半導體的類型
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說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
IXYS MOSFET TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
規格書
1,170工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFET 102 Amps 150V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 130 Amps 100V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFET 102 Amps 0V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 110 Amps 0V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 160 Amps 150V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 300
倍數： 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 120A 300V
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 300
倍數： 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 300
倍數： 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 160A 300V
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 300
倍數： 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 170 Amps 200V 0.014 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 300
倍數： 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 102 Amps 0V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 130 Amps 100V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS MOSFET GigaMOS Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS MOSFET 120V 300V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 140A 250V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 170A 200V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)