Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

分離式半導體的類型
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結果: 103
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
IXYS MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 60 Amps 200V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 300
倍數： 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5
IXYS MOSFET TO247 150V 102A N-CH TRENCH
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 160Amps 150V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench Gate Power MOSFET
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET TO247 250V 86A N-CH TRENCH
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-5
IXYS MOSFET MOSFET Id130 BVdass100
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 50
倍數： 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 42 Amps 150V 0.045 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 31 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3