結果: 8
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT module
規格書
12庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT Module 1400A 1700V
規格書
4庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 9.55 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 450 A dual IGBT module
規格書
17庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 PP IHM I
規格書
112庫存量
90預期2026/6/11
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 100 A PIM IGBT module
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS450R17OE4
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT Module 450A 1700V
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 630 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module
規格書
20預期2026/4/28
最少： 1
倍數： 1
否
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 10 A PIM IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray