4G/5G Low Noise Amplifiers

Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 操作頻率
工作電源電壓
運作供電電流
增益
NF - 雜訊圖標
類型
安裝風格
封裝/外殼
技術
P1dB - 壓縮點
OIP3 - 三階交調
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies RF放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
規格書
11,542庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 15,000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF放大器 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G
規格書
4,500庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 5,000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
規格書
7,445庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 12,000

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 12,000
倍數： 12,000
捲: 12,000

4.4 GHz to 5 GHz 1.1 V to 2 V 5.6 mA 19 dB 1 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 19 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel
Infineon Technologies RF放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 12,000
倍數： 12,000
捲: 12,000

3.3 GHz to 4.2 GHz 1.1 V to 2 V 5.8 mA 21 dB 0.75 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 18 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel