FFSP SiC蕭特基二極體

onsemi FFSP SiC蕭特基二極體的設計完全善用碳化矽勝過純矽 (Si) 裝置的優勢。FFSP SiC蕭特基二極體具有高順向突波能力、較低的反向漏電流，和零反向恢復電流。這些SiC蕭特基二極體還具有不受溫度影響的切換特性，以及出色的熱效能，得以全面提升系統效率、加快運作頻率、提高功率密度、減少EMI，同時縮小系統尺寸並降低成本。  

結果: 11
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
配置
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V 12A SIC SBD
規格書
804庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 12 A 650 V 1.5 V 70 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1265A Tube
onsemi 碳化矽肖特基二極管 SIC TO220 SBD 8A 650V
規格書
1,316庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 49 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP0865A Tube
onsemi 碳化矽肖特基二極管 SIC TO220 SBD 10A 650V
規格書
757庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 56 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1065A Tube
onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V 16A SIC SBD
規格書
263庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1665A Tube
onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC SBD 8A
規格書
760庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 1.2 kV 1.45 V 68 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP08120A Tube
onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC SBD 15A
規格書
570庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 15 A 1.2 kV 1.45 V 115 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP15120A Tube
onsemi 碳化矽肖特基二極管 SIC TO220 SBD 20A 650V
規格書
764庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 105 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP2065A Tube
onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode
規格書
105庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 1.2 kV 1.45 V 135 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP20120A Tube
onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V SiC SBD 30A
規格書
132庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 30 A 650 V 1.5 V 150 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP3065A Tube
onsemi 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODE 650V 10A
規格書
850庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.38 V 45 A 40 uA - 55 C + 175 C FFSP1065B Tube
onsemi 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODE 650V 20A
規格書
799預期2026/3/17
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 84 A 40 uA - 55 C + 175 C FFSP2065B Tube