STGWA75H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA75H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA75H65DFB2
Price: 196.46 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STGWA75H65DFB2

製造商編號：

STGWA75H65DFB2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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規格書:

STGWA75H65DFB2 規格書 (PDF)

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NT$-.--

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NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$196.46	NT$196.46
	NT$110.06	NT$1,100.60
	NT$91.06	NT$9,106.00
	NT$79.23	NT$47,538.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
封裝/外殼:	TO-247-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.55 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	115 A
Pd - 功率消耗 :	375 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
柵射極漏電電流:	250 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	600
子類別:	IGBTs
每件重量:	6.100 g

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規格書

STGWA75H65DFB2 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium V_CE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT features a low V_CE(sat) of 1.55V (typical) at an I_C of 75A.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.