STGWA75H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA75H65DFB2
STGWA75H65DFB2

製造商：

說明：
IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$175.78 NT$175.78
NT$98.60 NT$986.00
NT$69.02 NT$6,902.00
NT$64.94 NT$38,964.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
115 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
品牌: STMicroelectronics
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 600
子類別: IGBTs
每件重量: 6.100 g
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium VCE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT features a low VCE(sat) of 1.55V (typical) at an IC of 75A.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

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