S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices are VIO VCC 2.7V to 3.6V flash non-volatile memory devices. These devices use 65nm MirrorBit technology. Designed using Eclipse™ architecture with a 512-byte page programming buffer. The 512-Mb S25FL512S FL-S NOR allows users to program up to 256 words (512 bytes) in one operation. This results in faster effective programming and erase than prior generation SPI programs or erase algorithms. The device connects to a host system via an SPI and supports traditional SPI single-bit serial input and output. Optional two-bit (Dual I/O or DIO) and four-bit (Quad I/O or QIO) serial commands. The S25FL512S FL-S NOR provides support for Double Data Rate read commands for SIO, DIO, and QIO that transfer addresses. 

結果: 127
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
系列
存儲容量
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
有源讀取電流 - 最大
接口類型
最高時鐘頻率
組織
數據匯流排寬度
計時類型
最低工作溫度
最高工作溫度
資格
封裝
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,450
倍數： 1,450
捲: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,450
倍數： 1,450
捲: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 3,380
倍數： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1,690
倍數： 1,690

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃 IC 512 Mb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 3,380
倍數： 3,380

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃 IC 512 Mb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃 IC 512 Mb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 3,380
倍數： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 3,380
倍數： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃 IC 512 Mb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 676
倍數： 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃 IC 512 Mb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃 IC 512 Mb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,400
倍數： 2,400

SMD/SMT S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃 IC 512 Mb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,450
倍數： 1,450
捲: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,400
倍數： 2,400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃 IC 512M FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,450
倍數： 1,450
捲: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,450
倍數： 1,450
捲: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,450
倍數： 1,450
捲: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR快閃 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,450
倍數： 1,450
捲: 1,450

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 480
倍數： 480

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃 512-MBIT CMOS 3.0 V 65NM FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 3,380
倍數： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray