LMG2100R026VBNR

Texas Instruments
595-LMG2100R026VBNR
LMG2100R026VBNR

製造商:

說明:
閘極驅動器 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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庫存量: 22

庫存:
22
可立即送貨
在途量:
7,500
預期2026/7/9
32,500
22,500
預期2026/7/13
10,000
預期2026/7/24
工廠前置作業時間:
12
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
此產品已報告長備貨期。
最少: 1   多個: 1   上限: 450
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲(訂購多個2500)

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™
NT$427.69 NT$427.69
NT$316.56 NT$3,165.60
NT$304.37 NT$7,609.25
NT$260.63 NT$26,063.00
NT$255.25 NT$63,812.50
完整捲(訂購多個2500)
NT$255.25 NT$638,125.00
† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Texas Instruments
產品類型: 閘極驅動器
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-16
1 Driver
1 Output
8 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 125 C
LMG2100R026
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Texas Instruments
特徵: Low Power Consumption
輸入電壓(最大值): 5.25 V
輸入電壓(最小值): 4.75 V
濕度敏感: Yes
輸出電壓: 12 V
產品類型: Gate Drivers
傳輸延遲 - 最大值: 55 ns
Rds On - 漏-源電阻: 3.5 mOhms
關機: No Shutdown
原廠包裝數量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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合規守則
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
菲律賓
封裝原產國:
菲律賓
擴散國:
美國
出貨時,國家可能會有所變更。

LMG2100R026 GaN半橋功率級

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級整合了閘極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。93V連續電壓、100V脈衝電壓、53A的半橋功率級包含兩個氮化鎵場效應電晶體,由半橋配置中的一個高頻氮化鎵場效應電晶體驅動器驅動。驅動器與兩個GaN FET安裝在完全無接線封裝平台上,並將封裝寄生元件降至最低。