LMG2100R026VBNR

Name: Texas Instruments LMG2100R026VBNR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2100R026VBNR
Price: 431.46 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

595-LMG2100R026VBNR

製造商編號：

LMG2100R026VBNR

製造商：

Texas Instruments

說明：

閘極驅動器 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

LMG2100R026VBNR 規格書

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$431.46	NT$431.46
	NT$345.10	NT$3,451.00
	NT$334.56	NT$8,364.00
	NT$290.36	NT$29,036.00
	NT$277.44	NT$69,360.00
	NT$252.96	NT$126,480.00
	NT$252.28	NT$252,280.00
完整捲（訂購多個2500）
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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	閘極驅動器
RoHS:
產品:	Gate Drivers
類型:	Half-Bridge
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	VQFN-16
驅動器數:	1 Driver
輸出數:	1 Output
輸出電流:	8 A
電源電壓 - 最小值:	4.75 V
電源電壓 - 最大值:	5.25 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
系列:	LMG2100R026
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
特徵:	Low Power Consumption
輸入電壓（最大值）:	5.25 V
輸入電壓（最小值）:	4.75 V
濕度敏感:	Yes
輸出電壓:	12 V
產品類型:	Gate Drivers
傳輸延遲 - 最大值:	55 ns
Rds On - 漏-源電阻:	3.5 mOhms
關機:	No Shutdown
原廠包裝數量:	2500
子類別:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si

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規格書

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MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG2100R026 GaN半橋功率級

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級整合了閘極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。93V連續電壓、100V脈衝電壓、53A的半橋功率級包含兩個氮化鎵場效應電晶體，由半橋配置中的一個高頻氮化鎵場效應電晶體驅動器驅動。驅動器與兩個GaN FET安裝在完全無接線封裝平台上，並將封裝寄生元件降至最低。