Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

半導體的類型
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結果: 51
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
規格書
557庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
規格書
346庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 5


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
86庫存量
270預期2026/5/5
最少： 1
倍數： 1
最大： 136

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1
最大： 5

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
規格書
240庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 36

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns
規格書
215庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
規格書
198預期2026/8/18
最少： 1
倍數： 1
最大： 66

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
規格書
暫無庫存
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 480
倍數： 480

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 480
倍數： 480

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 480
倍數： 480